鍍膜基本知識(shí)
2.1 光學(xué)薄膜膜系設(shè)計(jì)與分析
該專題的培訓(xùn)名稱是《光學(xué)薄膜膜系設(shè)計(jì)與分析及Essential Macleod軟件使用》，歷時(shí)兩天，由上海光機(jī)所的齊紅基博士主講。其主要內(nèi)容可分為以下三個(gè)方面：光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)理論、Essential Macleod光學(xué)薄膜膜系設(shè)計(jì)分析軟件使用說(shuō)明和常規(guī)光學(xué)薄膜系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。
Essential Macleod 是一套光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)與分析軟件包，它包含光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)和分析的所有要素：
1) 計(jì)算一個(gè)給定膜系的各種性能參數(shù)，包括常用的反射率、透過率、振幅和位相等;
2) 優(yōu)化已有膜系，提高其性能;對(duì)給定特性要求，導(dǎo)出其膜系設(shè)計(jì);
3) 提取薄膜材料的光學(xué)常數(shù);
4) 分析膜系特性，包括導(dǎo)納圖分析和電場(chǎng)分布分析等;
5) 估算膜層中隨機(jī)誤差對(duì)膜層光譜特性的影響;
6) 模擬光學(xué)鍍膜。
2.2 光學(xué)薄膜制備技術(shù)
該專題的名稱是《鍍膜工藝基礎(chǔ)知識(shí)》，由中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所的周東平研究員講授，周東平研究員同時(shí)還是上海歐菲爾光電技術(shù)有限責(zé)任公司總經(jīng)理。周研究員從真空系統(tǒng)、制備技術(shù)、鍍膜工藝、薄膜材料、膜厚監(jiān)控、電子槍和離子源的原理及其作用六個(gè)方面對(duì)光學(xué)薄膜制備技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的講授。
在光學(xué)鍍膜中常用的真空泵有機(jī)械泵、分子泵、羅茨泵、油擴(kuò)散泵和冷凝泵。分子泵和冷凝泵是半無(wú)油和無(wú)油系統(tǒng)，適合激光薄膜的鍍制，分子泵的抽速慢，冷凝泵抽速快但在直徑大于1100mm的真空系統(tǒng)中無(wú)法有效使用。油擴(kuò)散泵如在抽氣口加裝polycold冷阱可實(shí)現(xiàn)高抽速的無(wú)油真空系統(tǒng)。
實(shí)用的真空系統(tǒng)，為保證抽速，管道應(yīng)盡可能短粗;前級(jí)泵和次級(jí)泵的配置要合理;系統(tǒng)漏氣小;真空室內(nèi)材料的放氣量要小;真空室要保持清潔。
除了大功率激光系統(tǒng)的減反膜由溶液凝膠(sol-gel)技術(shù)制備之外，光學(xué)薄膜真空鍍膜技術(shù)一般采用物理氣相沉積法(Physical vapor deposition)。PVD包括熱蒸發(fā)(Thermal Evaporation Deposition)、濺射(Plasma Sputtering Deposition)和離子鍍(Ion Beam Sputtering Deposition)。
熱蒸發(fā)(Thermal Evaporation Deposition)分為電阻加熱法(Resistive Heating)和電子槍蒸鍍法(Electron Beam Gun Evaporation)。電阻加熱時(shí)，蒸發(fā)舟(Boat)要與材料接觸良好，避免局部放熱引起分解和噴濺。
鍍膜的主要工藝因素有：基板處理(拋光、清潔、離子束預(yù)處理)、制備參數(shù)(基板溫度、沉積速率、真空度)、蒸汽入射角和老化處理。介質(zhì)膜的老化處理包括退火和激光預(yù)處理。
電子槍對(duì)膜層的成膜質(zhì)量和光譜特性有重要影響，
校準(zhǔn)真空泵有效抽速，以獲得穩(wěn)定的真空度。
校準(zhǔn)溫度控制曲線，溫控儀的升溫過充要小，控制要平穩(wěn)。
校準(zhǔn)蒸發(fā)源蒸發(fā)特性，好的電子槍應(yīng)該實(shí)現(xiàn)面源蒸發(fā)，能夠獲得穩(wěn)定重復(fù)的蒸發(fā)條件。
光學(xué)膜厚控制儀的精度確認(rèn)，膜厚控制儀的控制精度對(duì)成膜質(zhì)量和重復(fù)性有重要的影響。
薄膜的材料試驗(yàn)，為獲得均勻均質(zhì)和接近化學(xué)計(jì)量比的薄膜，需要通過實(shí)驗(yàn)來(lái)確定不同制備參數(shù)下材料的折射率和色散系數(shù)。
利用正投影法和比例法制備膜厚均勻性修正擋板。實(shí)驗(yàn)的過程中需要特別考慮源的時(shí)變性和燈絲對(duì)膜厚均勻性的影響。
光學(xué)膜厚控制工具因子和石英晶振膜厚控制因子的確定。